FF2MR12KM1HP 62 毫米 1200 V、2.1 mΩ 半橋模塊，采用 CoolSiC? MOSFET 技術(shù)，采用眾所周知的 62 毫米外殼，結(jié)合 M1H 芯片技術(shù)和預涂熱界面材料 (TIM)。

產(chǎn)品特性

IGBT 類型：溝槽場截止

配置：半橋

電壓 - 集電極擊穿（最大值）： 1200 В

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：無

安裝類型：底座安裝

包裝/外殼：模塊

供應商設(shè)備包裝：AG-62MM

應用

● UPS 系統(tǒng)

● 太陽能應用

● DC/DC 轉(zhuǎn)換器

● 高頻開關(guān)應用

● 儲能系統(tǒng)

● 電動汽車直流充電器

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