2EDL8033G4C 設(shè)計用于驅(qū)動半橋配置中的高端和低端MOSFET。浮動高端驅(qū)動器能夠驅(qū)動工作電壓高達120 V的高端MOSFET。高端偏置電壓是利用集成自舉二極管的自舉技術(shù)產(chǎn)生的。驅(qū)動器的輸入為TTL邏輯兼容，可承受-10 V至20 V的輸入共模擺幅。獨立輸入允許獨立控制高端和低端域。

規(guī)格

驅(qū)動配置：半橋

通道類型：獨立式

驅(qū)動器數(shù)：2

柵極類型：N 溝道 MOSFET

電壓 - 供電：8V ~ 17V

邏輯電壓 - VIL，VIH：-

電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：3A，6A

輸入類型：非反相

高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：120 V

上升/下降時間（典型值）：4.6ns，3.3ns

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：10-VDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：PG-VDSON-10-2

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