BSM180D12P2C101 SiC 功率模塊是由一個(gè)碳化硅 DMOSFET 和一個(gè)碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管組成的半橋模塊。ROHM Semiconductor 設(shè)計(jì)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、變頻器/轉(zhuǎn)換器、光伏、能量收集和感應(yīng)加熱設(shè)備。它具有低浪涌、低開關(guān)損耗和高速開關(guān)的特點(diǎn)。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：碳化硅（SiC）

配置：2 個(gè) N 通道（半橋）

漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：204A（Tc）

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 35.2mA

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：23000pF @ 10V

功率 - 最大值：1130W

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

封裝/外殼：模塊

供應(yīng)商器件封裝：模塊

應(yīng)用 

● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

● 變頻器、轉(zhuǎn)換器

● 光伏、風(fēng)力發(fā)電。

● 感應(yīng)加熱設(shè)備。

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