STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT基于先進、專有溝槽柵極場終止結(jié)構(gòu)演進而來。HB2系列以較低的電流值和較低的開關(guān)能量，通過高級VCE(sat) 優(yōu)化導通。HB2 IGBT在75A IC時具有1.55V（典型值）低 VCE(sat)。

STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT包括反向并聯(lián)的超快軟恢復二極管。因此，STGWA75H65DFB2專門設(shè)計用于最大限度地提高效率，適合用于各種快速應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

封裝 / 箱體: TO-247-3

安裝風格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V

集電極—射極飽和電壓: 1.55 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 115 A

Pd-功率耗散: 375 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

柵極—射極漏泄電流: 250 nA

應(yīng)用

焊接

功率因數(shù)校正

不間斷電源

太陽能逆變器

充電器

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