STGB20M65DF2器件是一種 IGBT，采用先進的專有溝槽柵場停結構。該器件是 M 系列 IGBT 的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡，其中低損耗和短路功能至關重要。此外，正 VCE（飽和）溫度系數(shù)和緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)操作更加安全。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

技術: Si

封裝 / 箱體: D2PAK-3

安裝風格: SMD/SMT

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V

集電極—射極飽和電壓: 1.55 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 40 A

Pd-功率耗散: 166 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: STGB20M65DF2

集電極最大連續(xù)電流 Ic: 40 A

柵極—射極漏泄電流: 250 uA

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