商品名稱：STGYA75H120DF2
數(shù)據(jù)手冊：
STGYA75H120DF2.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
STGYA75H120DF2 1200V H 系列溝槽式柵極場終止型 IGBT 是采用先進的、具有專利的溝槽式柵極和場終止型結構進行開發(fā)的高速 IGBT。
產(chǎn)品屬性
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
技術: Si
封裝 / 箱體: MAX257-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1.2 kV
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 150 A
Pd-功率耗散: 750 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 75 A
柵極—射極漏泄電流: 250 nA
應用
不間斷電源
電焊機
光伏逆變器
功率因數(shù)校正
高頻轉換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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