ISC011N03L5S 低電壓功率 MOSFET 提供廣泛的適用性以及具有競爭力的性價(jià)比。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 30 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：37A（Ta），100A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 1.1 毫歐 @ 30A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 2V @ 250μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 72 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 4700 pF @ 15 V  

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），96W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型：表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TDSON-8-1  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。