IPP030N06NF2S StrongIRFET? 2 60V 單N通道功率 MOSFET采用 TO-220 封裝，器件具有 3.05 mΩ 的極低 RDS(on)，可用于從低到高開關(guān)頻率的各類應(yīng)用。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：26A（Ta），119A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3.05 毫歐 @ 70A， 10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 80μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：102 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：4600 pF @ 30 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），150W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3-U05

封裝/外殼：TO-220-3

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