IPF039N08NF2S StrongIRFET?2 功率MOSFET 80V采用D2PAK-7引腳封裝，具有3.9 mOhm的低RDS（ON），可滿足從低開關(guān)頻率到高開關(guān)頻率的廣泛應(yīng)用。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：126A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：3.9 毫歐 @ 80A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 85μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：81 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3800 pF @ 40 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-7-14

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

基本產(chǎn)品編號：IPF039N

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