IPB012N04NF2S StrongIRFET?2功率MOSFET 40V具有1.25 mOhm的低RDS（ON），可滿足從低開關頻率到高開關頻率的廣泛應用。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：41A（Ta），197A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.25 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 189μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：239 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：11300 pF @ 20 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），250W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO263-3

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

基本產(chǎn)品編號：IPB012

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