NVMFS5C406NWFT1G是采用先進(jìn)的功率溝槽工藝（結(jié)合屏蔽柵極技術(shù)）生產(chǎn)的30V、40V和60V MOSFET。該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。采用各種小尺寸封裝選項(xiàng)，可提高設(shè)計(jì)靈活性。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：52A（Ta），353A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：0.8 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 280μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：110 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：7288 pF @ 20 V

功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），179W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝，可潤(rùn)濕側(cè)翼

供應(yīng)商器件封裝：5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）

封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線

應(yīng)用

● ORing

● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 功率負(fù)載開(kāi)關(guān)

● 電池管理

● 高端計(jì)算

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  答：可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。