NTMFS5C604NLT1G 是 60V 272A 1.2 mΩ 功率 MOSFET 單 N 溝道晶體管。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：38A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.2 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：120 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8900 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），200W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線

產(chǎn)品特性

小尺寸（5x6 毫米），適合緊湊型設(shè)計

低 RDS(on)，將傳導(dǎo)損耗降至最低

低 QG 和電容，將驅(qū)動器損耗降至最低

這些器件無鉛，符合 RoHS 規(guī)范

應(yīng)用

高性能 DC-DC 轉(zhuǎn)換器

負(fù)載點模塊

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