2ED21824S06JXUMA1 是一款 650 V 半橋高速功率 MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器，典型灌電流和源電流均為 2.5 A，采用 DSO-14 封裝。

特性概述

工作電壓（VS 節(jié)點）高達 + 650 V

負 VS 瞬態(tài)抗擾度為 100 V

集成超快、低電阻自舉二極管，降低了 BOM 成本

高壓和低壓引腳分離，以獲得最大的爬電空間和間隙

獨立的邏輯接地和電源接地

浮動通道設計用于自舉操作

集成擊穿保護，內(nèi)置死區(qū)時間（可編程死區(qū)時間）

最大電源電壓為 25 V

雙通道獨立欠壓鎖定 (UVLO)

200 ns 傳播延遲

HIN、LIN 輸入邏輯

VS 引腳上的邏輯工作電壓高達 -11 V

輸入端負壓容差為 -5 V

浮動通道可用于驅(qū)動 N 溝道 MOSFET、SiC MOSFET 或高壓側(cè)配置的 IGBT

優(yōu)點

集成自舉二極管 - 節(jié)省空間，降低 BOM 成本，更小的 PCB，更簡單的設計，更低的成本

電平移動損耗降低 50

針對 VS 引腳上的負瞬態(tài)電壓具有出色的堅固性和抗噪能力

應用

家用電器

電機控制和驅(qū)動

電動工具

開關模式電源 (SMPS)

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