商品名稱:TDB6HK180N16RRB11BPSA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):TDB6HK180N16RRB11BPSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
TDB6HK180N16RRBPSA1 - 采用的1600V 半橋控制模塊 ,采用制動(dòng)斬波器和 PressFIT 壓接技術(shù),實(shí)現(xiàn)更緊湊的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
規(guī)格
結(jié)構(gòu): 橋接,3 相 - SCR/二極管 - IGBT 帶二極管
SCR 數(shù),二極管: 3 SCRs,3 個(gè)二極管
電壓 - 斷態(tài): 1.6 kV
電壓 - 柵極觸發(fā) (Vgt)(最大值): 2 V
電流 - 柵極觸發(fā) (Igt)(最大值): 100 mA
電流 - 非重復(fù)浪涌:50、60Hz (Itsm) 1600A @ 50Hz
電流 - 保持 (Ih)(最大值): 220 mA
工作溫度: 175°C(TJ)
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: 模塊
基本產(chǎn)品編號(hào): TDB6HK
特征描述
2.5 kV 交流 1 分鐘絕緣
低熱阻Al(2)O(3)基板
高功率密度
高機(jī)械可靠性
絕緣銅基板
焊接技術(shù)
符合 RoHS
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢(shì)面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…IKW50N65ES5
IKW50N65ES5絕緣柵雙極晶體管(IGBT)適合開關(guān)頻率在 10 kHz 到 40 kHz 之間的應(yīng)用,可實(shí)現(xiàn)高效率和更快的產(chǎn)品上市周期,降低電路設(shè)計(jì)復(fù)雜性并優(yōu)化 PCB 物料清單成本。該產(chǎn)品具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)參數(shù):IKW50N65ES5的優(yōu)勢(shì)不需要 VCEpeak 箝位電路不需要柵極箝位元件出色的 EM…IHW20N135R5
IHW20N135R5是一款采用 TO247 封裝的1350 V IGBT單片集成反向?qū)ǘO管,具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1350 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):40 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):60 A不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,20A功率…電話咨詢:86-755-83294757
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